Nghiên cứu cấu trúc electron của cluster ScSi4−/0 bằng phương pháp đa cấu hình CASSCF/CASPT2 - Trần Văn, Tân; Bùi Thọ, Thanh; Trần Quốc, Trị; Nguyễn Hoàng, Khang; Nguyễn Minh, Thảo (Bản B của Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam, 2018)
Các trạng thái electron cơ bản và trạng thái electron kích thích của các cluster ScSi4−/0 được nghiên cứu bằng phiếm hàm B3LYP và phương pháp CASSCF/CASPT2. Trạng thái electron cơ bản của cluster ScSi4 − là 1 A′ (1 A1 ) thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η3 -(Si4 )Sc− . Trạng thái cơ bản của cluster ScSi4 là 2B1 thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η4 -(Si4 )Sc. Các đồng phân dạng phẳng η3 -(Si4 )Sc−/0 có năng lượng cao hơn các đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η3 -(Si4 )Sc−/0. Năng lượng của các quá trình tách electron ra khỏi cluster anion đã được tính toán và so sánh với thực nghiệm. Tất cả các dãy phổ trong phổ quang electron được giải thích. Quá trình mô phỏng hệ số Franck-Condon cho thấy các bước tiến dao động của các bước chuyển 1 A′→12 A′ và 1 A′→12 A’’ là phù hợp với hình dạng của dãy đầu tiên trong phổ quang electron của cluster ScSi4 − .