Công nghệ chế tạo và khảo sát tính chất chuyển hóa quang điện của pin mặt trời hữu cơ trên cơ sở vật liệu hỗn hợp P3HT và PCBM - Trần Thị Thao, Nguyễn Năng Định*; Đặng Hải Ninh; Ngô Đình Sáng; Nguyễn Văn Thông (Bản B của Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam, 2016)
Pin mặt trời hữu cơ (OSC) trên cơ sở chất hoạt quang tổ hợp P3HT và PCBM cấu trúc đa lớp ITO/ZnO/ P3HT:PCBM/LiF/Al được chế tạo từ các lớp vô cơ và hữu cơ. Lớp hoạt tính P3HT:PCBM với tỷ lệ pha trộn 2/3, 1/1 và 3/2 được chế tạo bằng phương pháp quay phủ ly tâm, lớp đệm nano ZnO chế tạo bằng phún xạ cao tần và lớp tiếp xúc nông LiF/Al chế tạo bằng bốc bay chân không. Khảo sát đặc tuyến dòng thế của linh kiện OSC với hỗn hợp pha trộn 1/1 ở chế độ chiếu rọi của bức xạ mặt trời mật độ công suất 50 mW/cm2 cho thấy, thế hở mạch đạt giá trị 0,36 V; dòng ngắn mạch - 5,80 mA/cm2 và hệ số điền đầy - 0,54. Hiệu suất chuyển hóa quang - điện xác định từ các thông số hoạt động trên có giá trị bằng 2,25%. Kết quả nhận được có ý nghĩa thực tiễn trong triển khai năng lượng mặt trời, khi pin OSC được trải rộng nhằm nâng cao công suất tổng của pin.