Phương pháp tích phân phiếm hàm trong lý thuyết lượng tử về plasmon

Các tác giả

  • Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bích Hà
  • Nguyễn Văn Hợp

Từ khóa:

khí điện tử, kích thích tập thể, phiếm hàm sinh, phiếm hàm tác dụng, plasmon

Tóm tắt

Trong bài báo này lý thuyết lượng tử về plasmon đã được xây dựng trên cơ sở những nguyên lý và định luật cơ bản của vật lý học lượng tử được áp dụng vào trường hợp khí điện tử linh hoạt trong kim loại và bằng phương pháp tích phân phiếm hàm. Nhờ sử dụng biến đổi Hubbard-Stratonovich nổi tiếng, từ phiếm hàm sinh của hệ khí điện tử suy ra phiếm hàm sinh của một trường vô hướng mà các toán tử hủy hạt và sinh hạt của trường này chính là toán tử hủy và sinh plasmon. Trong trường hợp khí điện tử linh hoạt trong kim loại đồng chất có kích thước không giới hạn và ở nhiệt độ T = 0 Lagrangian của trường lượng tử vô hướng diễn tả các plasmon có dạng giống như Lagrangian của trường lượng tử vô hướng tương đối tính thỏa mãn phương trình Klein-Gordon. Phương pháp lập luận và tính toán có thể được mở rộng ra cho các hệ điện tử linh hoạt trong các cấu trúc kim loại kích thước nano

Chỉ số phân loại

1.3

Tiểu sử tác giả

Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bích Hà

Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam

Nguyễn Văn Hợp

Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội

Tải xuống

Đã xuất bản

2015-01-25

Cách trích dẫn

Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bích Hà, & Nguyễn Văn Hợp. (2015). Phương pháp tích phân phiếm hàm trong lý thuyết lượng tử về plasmon. Bản B của Tạp Chí Khoa học Và Công nghệ Việt Nam, 57(1). Truy vấn từ https://b.vjst.vn/index.php/ban_b/article/view/792

Số

Lĩnh vực

Khoa học Tự nhiên

Các bài báo được đọc nhiều nhất của cùng tác giả