Thiết kế bộ điều biến vi tích phân bậc 3, tỷ số tín hiệu trên nhiễu đạt 110 dB và tỷ lệ quá lấy mẫu 512 cho chip ADC 24-bit ở công nghệ CMOS 130 nm

Các tác giả

  • Hồ Quang Tây* , Ngô Thị Thu Nga, Đoàn Duy

Từ khóa:

ADC 24-bit, điều biến vi tích phân, điều biến vi tích phân bậc 3, tỷ số quá lấy mẫu ADC 24-bit, tỷ số tín hiệu trên nhiễu của ADC 24-bit.

Tóm tắt

Bài báo này trình bày một thiết kế bộ điều biến vi tích phân bậc 3 (3rd order delta-sigma modulator) có tỷ số tín hiệu trên nhiễu (Signal to noise ratio - SNR) đạt 110 dB, tỷ lệ quá lấy mẫu (Oversampling rate - OSR) 512 và số bit hiệu dụng (Effective number of bits - ENOB) lớn hơn 18 bit với tần số tín hiệu ngõ vào 8 KHz. Bộ điều biến vi tích phân là thành phần quan trọng được sử dụng trong thiết kế chip chuyển đổi tín hiệu tương tự sang tín hiệu số (Analog to digital converter - ADC) có độ phân giải 24 bit. Thiết kế này đã được tích hợp thành công vào chip ADC 24-bit trên nền công nghệ 130 nm với công suất tiêu thụ gần 4 mW và nguồn cấp 3,3 V.

 

Chỉ số phân loại

1.2

Tiểu sử tác giả

Hồ Quang Tây* , Ngô Thị Thu Nga, Đoàn Duy

Trung tâm Nghiên cứu và Đào tạo thiết kế vi mạch

Tải xuống

Đã xuất bản

2016-02-25

Ngày nhận bài: 10/07/2015; ngày chuyển phản biện: 24/07/2015; ngày nhận phản biện: 28/08/2015; ngày chấp nhận đăng: 31/08/2015

Cách trích dẫn

Hồ Quang Tây* , Ngô Thị Thu Nga, Đoàn Duy. (2016). Thiết kế bộ điều biến vi tích phân bậc 3, tỷ số tín hiệu trên nhiễu đạt 110 dB và tỷ lệ quá lấy mẫu 512 cho chip ADC 24-bit ở công nghệ CMOS 130 nm. Bản B của Tạp Chí Khoa học Và Công nghệ Việt Nam, 58(2). Truy vấn từ https://b.vjst.vn/index.php/ban_b/article/view/189

Số

Lĩnh vực

Khoa học Tự nhiên